European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 250 N
35
28,5
5
6
115
80
9
18
M8
92
18
AK
K
K1 G1
K2
G2
A
VWK February 1996
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
TT 250 N, TD 250 N, DT 250 N
Electrical properties
Maximum rated values
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 82°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
v
D
≤
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
v
L
=10V,i
GM
= 1A,di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
= V
DRM
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
∫i
2
dt
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
600 800 1000
1200 1400 1600
1800
+ 100
V
V
V
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state voltage
non-repetitive peak reverse
voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
∫i
2
t-value
current
voltage
410
A
250
A
261
A
8000
A
7000
A
2
320000 A s
245000 A
2
s
150 A/µs
1000 V/µs
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
Charakteristische Werte
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
Characteristic values
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 800 A
v
T
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
t
vj
= t
vj max
r
T
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
I
GT
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
V
GT
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
I
H
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
=V
RRM
i
D
, i
R
t
vj
=25°C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs t
gd
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
t
q
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
max.1,5
0,8
0,7
max. 200
max. 2
max.10
max.0,2
max. 300
max.1,2
max. 50
max. 3
typ.250
3
V
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
A
mA
µs
µs
kV
Innerer Wärmewiderstand
Thermische Eigenschaften
thermal resistance, junction
to case
Thermal properties
Θ
=180°el,sinus: pro Modul/per module
R
thJC
max.0,065 °C/W
max.0,13
max.0,062
max.0,124
max.0,02
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
pro Zweig/per arm
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
R
thCK
pro Zweig/per arm
t
vj max
t
c op
t
stg
max.0,04 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
1
AlN
6
12
typ.
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
Nm
f = 50 Hz
800
g
17 mm
5 . 9,81 m/s²
Diese Module können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 250 N
400
0
300
P
TAV
[W]
200
θ
= 30°
θ
90°
60°
120°
180°
120
t
C
0
θ
100
[°C]
80
60
100
40
20
0
TT 250 N/2
θ
= 30°
50
100
60°
150
90°
120°
200
180°
250
I
TAVM
[A]
300
0
0
TT 250 N/1
50
100
150
200
I
TAV
[A]
250
300
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
500
DC
400
P
TAV
[W]
300
θ
= 30°
60°
0
θ
180°
90°
120°
130
θ
t
C
[°C]
100
0
80
200
60
100
40
θ
= 30°
0
TT 250 N/4
60°
150
90° 120°
200
250
180°
300
350
I
TAVM
[A]
DC
400
0
0
TT 250 N/3
50
100
150
200
250
300
350
I
TAV
[A]
400
20
50
100
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung eines Zweiges /On-state power loss per arm P
TAV
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
1400
0.04
0.05
0.06
0.03 0.02 R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-Load
L-Last
L-Load
2000
0.03
0.04
1600
P
tot
0.05
[W]
0.06
1200
0.08
0.10
800 0.12
0.15
0.20
400 0.25
0.30
0.40
0.60
0
0
20
TT 250 N/6
0.02
R
thCA
[°C/W]
P
tot
1000
[W]
0.08
0.10
0.12
600
0.15
0.20
0.25
0.30
0.40
200 0.50
0.60
0
0
20
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300 400 500
I
d
[A]
600
40
60
TT 250 N/5
80
t
A
[°C]
100
0
200
400
600
I
d
[A]
800
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 250 N
700
0.0 8 0 .06
0.10
0.0 4 R
thCA
[°C/W]
0.05
2000
0.0 3
0.04
0.05
0.06
0.08
800 0.10
0.12
0.15
0.20
400
0.25
0.30
0.40
0.60
0
0
20
TT 250 N/8
0.0 2
R
thCA
[°C/W]
6 00 0 .12
P
tot
500
0 .15
[W]
400
0 .20
16 00
P
tot
[W]
12 00
0 .25
300 0 .30
0 .40
0 .50
0.60
0 .80
1 00 1 .00
1 .20
200
0
0
20
40
60
80
100
t
A
[°C]
0
1 00
20 0 300 400 50 0 60 0
I
RMS
[A]
40
60
TT 250 N/7
8 0 100
t
A
[°C]
0
1 00
200
300 400
I
RMS
[A]
50 0 60 0
B ild / Fig. 7
W1C - E inpha sen -We ch selweg schaltung / S ingle- phase inverse p arallel circuit
Höchstzulä ssige r Effe ktivstrom / Maximu m ratet RMS cur rent I
RMS
G esamtverlustleist. der Schaltung / Total p ower d issip. of the
circuit P
tot
P arameter: Wärmewide rstand zwischen Ge häuse und Umg ebung /
the rmal re sistance case to a mbi ent R
thCA
6
10
4
Bild / Fig. 8
W3 C - Dr eiphasen -We chselwegschaltung / Three -phase inverse paralle l circuit
Hö chstzu lässig er E ffektivstro m je Phase / Maximum ra tet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlu stleist. der Schaltung / Total power dissip . of the ci rcui t P
tot
Parameter: Wä rme wid erstan d zwische n G ehäu se und Umgebun g/
th ermal resistance case to ambient R
thCA
8
5
I
T(0V)M
[kA]
4
3
2
1
0
10
T T 250 N/9
Q
r 4
[µAs]
2
a
b
i
TM
=
200 A 500 A 1000A
100 A
50 A
20 A
10
3
8
6
4
2
20
40
60 80 100
200
400 600 800 1s
t [ms]
10
2
10
0
TT 250 N/10
2
3
4
5 6 7 8
10
1
2
3
4
5 6 7 8
-d i/dt [A/µs]
1 0
2
B ild / Fig. 9
G renzstrom je Zweig
(OV)M
. Bel astung au s Leer lauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum ove rload on- sta te current per arm I
T(OV)M
. Surge curren t unde r
n o-load condi tion s, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 3 5 °C, verstä rkte Luftkühlu ng / forced cooling
b - t
A
= 4 5 °C, Lu ftse lbstkühlu ng / natural cooling
30
20
v
G
10
[V]
5
a
Bild / Fig. 10
Sperr ver zög erungslad ung / Recove ry charge Q
r
= f(- di/d t)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Dur chl aßstrom / On-sta te current i
TM
10 0
60
t
gd
[µs]
b
c
d
20
10
6
4
2
1
0 ,6
0,4
0,2
b
a
2
1
0,5
0,2
0,1
10
20
4 0 60 100 20 0 400 600 1
mA
2
4 6
10
A
20
40 60 100
i
G
0,1
10
20
T T 250 N/11
4 0 6 0 100
mA
200
40 0 6 00
1
2
TT 250 N/12
A
4
i
G
6
10
B ild / Fig. 11
S teu ercharakte ristik mit Zündb ereichen / Gate ch aracter istic with trigger ing
a reas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
P_____ _____ _____ _____ _____ _____ _____ _____ _____ _____ _____
a
b
c
d
_ arameter:
S teu erimpulsdau er Pulse duration t
g
_____ 10
1
0,5
0 ,1
_ _____ _____ _____/_____ _____ _____[ms] _____ _____ _____ _____
Höchstzulä ssige Sp itzensteuerle istung /
Maximum allowable _____gate power _____ _____ _____ _____ _____
80
100 15 0
_ _____ _____ _____ pe ak _____ _____ [W] 40
Bild / Fig. 12
Zü ndverzug / Gate co ntro lled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äu ßer ster Verlauf / limitin g char acteristic
b - typ ischer Verla uf / typ ica l chara cteristic
TT 250 N
0 ,16
Z
thJC
0
θ
0,18
0,16
Z
thJC
[°C/W]
0,1 2
0,10
0,08
θ
=
30°
0
θ
[°C/W]
0 ,12
0 ,10
0 ,08
0 ,06
0 ,04
0,06
0,04
0,02
2
4
6
θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
4 6 8
60°
90°
120°
0 ,02
180°
DC
0
10
-2
10
-1
2
4
6
10
0
2
4
6
10
1
2
4
6
10
2
0
2
10
-3
10
-2
2
4 6 8
10
-1
2
4 6 8
10
0
2
4 68
10
1
2
4 6 8
10
2
T T 250 N/13
t [s]
TT 250 N/14
t [s]
B ild / Fig. 13
Transiente r inne rer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impe dance
p er arm Z
(th)JC
= f(t)
P arameter: Stromflußwi nke l / cur rent condu ction ang le
θ
Bild / Fig. 14
Transienter in nerer Wärmewiderstan d je Zweig / Tra nsien t thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: S tro mflußwinkel / cu rrent con duction an gle
θ
Analytische Ele me nte des tra nsienten Wä rme wid erstan des Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytica l el ements of transient the rma l impe dance Z
thJC
p er arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,0031
0,0009
2
0 ,00 97
0,0 08
3
0,0257
0,11
4
0,0429
0 ,61
5
0 ,04 26
3,06
6
7
Analytische Funktio n / Analytical functio n:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
实时操作系统RTOS
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
