10A Avg.
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
平
均
整
流
電
流
Average Rectified Forward Current
実
効
順
電
流
R.M.S. Forward Current
サ
ー
ジ
順
電
流
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
保
存
温
度
範
囲
Storage Temperature Range
100 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
120
50Hz、正弦全波通電抵抗負荷
50Hz Full Sine Wave Resistive Load
SBD
Conditions
100
Tc＝121℃
11.1
50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し
50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
C10T10Q
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
10
A
A
A
℃
℃
■最大定格 Maximum Ratings
−40∼＋150
−40∼＋150
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
Item
ピ
ー
ク
逆
Peak Reverse Current
ピ
ー
ク
順
Peak Forward Voltage
熱
抵
Thermal Resistance
電
電
流
圧
抗
■APPROX. NET WEIGHT:1.4g
Symbol
I
RM
V
FM
R
th(j-c)
Conditions
T
j
＝25℃, V
RM
＝V
RRM
,
一素子あたり
Per Diode
T
j
＝25℃, I
FM
＝5A,
一素子あたり
Per Diode
接合部½ケース間
Junction toCase
Min.
−
−
−
Typ.
−
−
−
Max.
1
0.85
3
Unit
mA
V
℃/W
■定格・特性曲線
FIG.1
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
20
C10T10Q/C10T10Q-11A (per Arm)
0˚
θ
180˚
FIG.2
平 均 順 電 力 損 失 特 性
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
C10T10Q/C10T10Q-11A (Total)
RECT 180
˚
20
FIG.3
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE
Tj= 150
˚
C
C10T10Q/C10T10Q-11A (per Arm)
順 電 圧 特 性
CONDUCTION ANGLE
通流角
ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
瞬
時
順
電
流
（Ａ）
均
5
順
電
力
6
½
ク
逆
PEAK REVERSE CURRENT (mA)
10
平
8
SINE WAVE
ピ
10
4
2
Tj=25
˚
C
Tj=150
˚
C
1
損
失
（Ｗ）
電
流
5
2
（½Ａ）
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
2
4
6
8
10
12
2
0
20
40
60
80
100
120
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)
瞬 時 順 電 圧 （Ｖ）
平 均 順 電 流 （Ａ）
ピ ー ク 逆 電 圧 （Ｖ）
FIG.4
0˚
FIG.5
θ
180˚
CONDUCTION ANGLE
FIG.6
サ ー ジ 順 電 流 定 格
SURGE CURRENT RATINGS
140
120
f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
C10T10Q/C10T10Q-11A
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION
2.0
C10T10Q/C10T10Q-11A (Total)
RECT 180˚
平 均 逆 電 力 損 失
通流角
12
平 均 順 電 流 − ケ ー ス 温 度 定 格
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE
V
R M
= 100V
RECT 180˚
C10T10Q/C10T10Q-11A (Total)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
平
均
逆
電
力
損
失
（Ｗ）
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION (W)
1.6
平
均
1.2
SINE WAVE
½
8
SURGE FORWARD CURRENT (A)
10
SINE WAVE
サ
100
ジ
順
電
順
電
80
60
40
I FSM
0.02s
6
0.8
流
（Ａ）
4
流
（Ａ）
0.4
2
20
0
0.02
0
0
20
40
60
80
100
120
0
0
25
50
75
100
125
150
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
REVERSE VOLTAGE (V)
CASE TEMPERATURE (
˚
C)
TIME (s)
逆 電 圧 （Ｖ）
ケ ー ス 温 度 （℃）
時 間 （½）
FIG.7
接 合 容 量 特 性
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE
500
Tj=2 5∞C,V m = 20m V
RM S
,f= 100 kHz ,Ty pica l V alue
C10T10Q/C10T10Q-11A (per Arm)
接
合
容
量
（½Ｆ）
JUNCTION CAPACITANCE (pF)
200
100
50
20
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
REVERSE VOLTAGE (V)
逆 電 圧 （Ｖ）
505
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
