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BZW04-239BA1G

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZW04-239BA1G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

BZW04-239BA1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW IMPEDANCE, PRSM-MIN
最大击穿电压294 V
最小击穿电压266 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
最大重复峰值反向电压239 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
msp430g2553的捕获
写一个脉冲频率测量的程序先确定测频的方法--脉冲填充法被测信号 ____||___________||_____填充的脉冲||||||||||||||||||定时计数器 CCR(第1次)CCR(第2次)2次捕获后的捕获寄存器的值相减就是填充的脉冲数若SMCLK的频率为1MHZ则,输入脉冲周期就是【CCR(第2次)-CCR(第1次)】微秒所以脉冲填充法不是真要向被测信号内填充脉冲,二是等效的脉冲填充...
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