64KX1 VIDEO DRAM, 150ns, PDIP20
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY REFRESH; 256 X 1 SAM PORT |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 |
| 长度 | 24.325 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | VIDEO DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| TMS4161-15NE | TMS4161-15FME | TMS4161-20FME | TMS4161-20NE | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 64KX1 VIDEO DRAM, 150ns, PDIP20 | 64KX1 VIDEO DRAM, 150ns, PQCC22, PLASTIC, CC-22 | 64KX1 VIDEO DRAM, 200ns, PQCC22, PLASTIC, CC-22 | 64KX1 VIDEO DRAM, 200ns, PDIP20 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | 200 ns | 200 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY REFRESH; 256 X 1 SAM PORT | RAS ONLY REFRESH; 256 X 1 SAM PORT | RAS ONLY REFRESH; 256 X 1 SAM PORT | RAS ONLY REFRESH; 256 X 1 SAM PORT |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 | R-PQCC-J22 | R-PQCC-J22 | R-PDIP-T20 |
| 长度 | 24.325 mm | 12.445 mm | 12.445 mm | 24.325 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | VIDEO DRAM | VIDEO DRAM | VIDEO DRAM | VIDEO DRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 22 | 22 | 20 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | QCCJ | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 3.53 mm | 3.53 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.366 mm | 7.366 mm | 7.62 mm |
| 包装说明 | - | PLASTIC, CC-22 | QCCJ, | DIP, |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
