GBU8A ... GBU8M
GBU8A ... GBU8M
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
Version 2019-11-25
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade
1
)
21.5
5.6
3.6
±0.2
18.2
±0.3
5.3
+0.5
±0.7
I
FAV
= 8 A
V
F
< 1.0 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 50...1000 V
I
FSM
= 180/200 A
t
rr
~ 1500 ns
GBU
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung
1
)
Besonderheit
UL-anerkannt, Liste E175067
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
1000
20/1000
3.8 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Lose in Einlagekartons
Suffix -T: verpackt in Stangen
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
3.4
±0.1
1.7
±0.1
GBU ...
– ~ ~ +
1.8
+0.2
Features
UL recognized, File E175067
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Bulk in cardboard trays
Suffix -T: packed in tubes
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
RoHS
2.2
0.5
+0.1
1.1
+0.2
- 0.1
1.8
+0.7
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
2
)
Type
Typ
GBU8A
GBU8B
GBU8D
GBU8G
GBU8J
GBU8K
GBU8M
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
Max. rectified current with cooling fin 300 cm
2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm
2
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing – Grenzlastintegral
Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
2
3
4
5
EL
V
Pb
EE
WE
Grenzwerte
2
)
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
3
)
35
70
140
280
420
560
700
R-load
C-load
R-load
C-load
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
4
)
50
100
200
400
600
800
1000
5.6 A
5
)
4.5 A
5
)
8.0 A
6.4 A
36 A
5
)
180 A
200 A
162 A
2
s
-50...+150°C
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
T
A
= 40°C
T
C
= 100°C
f > 15 Hz
I
FAV
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j/S
M3
Half sine-wave 50 Hz (10 ms)
Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms)
t < 10 ms
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V
RRM
– Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen V
RRM
nicht überschreiten
Valid per diode – Gültig pro Diode
Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf T
A
gehalten
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
GBU8A ... GBU8M
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time – Sperrverzug
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 8 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
t
rr
C
j
R
thA
R
thC
Kennwerte
< 1.0 V
1
)
< 5 µA
1
)
typ. 1500 ns
1
)
80 pF
1
)
19 K/W
2
)
3.0 K/W
I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
V
R
= 4 V
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
Typical thermal resistance junction to ambient (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
Typical thermal resistance junction to case (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
Type
Typ
R
t 3)
~
_
~
+
C
L
4)
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
R
t
[Ω]
3
)
0.2
0.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
Admiss. load capacitor at R
t
Zul. Ladekondensator mit R
t
C
L
[µF]
4
)
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
GBU8A
GBU8B
GBU8D
GBU8G
GBU8J
GBU8K
GBU8M
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
60
10
T
j
= 25°C
40
1
20
I
FAV
0
T
C
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
0
I
F
10
-1
0.4
270a-(12a-1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder
Internet
1
2
3
4
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
R
t
= V
RRM
/ I
FSM
R
t
is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I
FSM
is not exceeded
R
t
ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I
FSM
verhindert
C
L
= 5 ms / R
t
If the R
t
C
L
time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C
L
can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, I
FSM
occurs as a single pulse only!
Falls die R
t
C
L
Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C
L
innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. I
FSM
tritt dann nur als Einzelpuls auf!
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© Diotec Semiconductor AG
2
模拟与混合信号
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