IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.055 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-01-364-8001 | TMS44C256-10DJR | TMS44C256-60SD | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC | IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC | IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,ZIP,20PIN,PLASTIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 150 ns | 100 ns | 60 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 | R-PDSO-J20 | R-PZIP-T20 |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX4 | 256KX4 | 256KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOJ | ZIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | SOJ20/26,.34 | ZIP20,.1 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 | 512 | 512 |
| 最大待机电流 | 0.003 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.055 mA | 0.065 mA | 0.095 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Objectid | - | 1164774493 | 1164774496 |
| 包装说明 | - | SOJ, SOJ20/26,.34 | ZIP, ZIP20,.1 |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
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