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BCV27E6327XT

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小520KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BCV27E6327XT概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCV27E6327XT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)4000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)170 MHz
Base Number Matches1

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BCV27, BCV47
NPN Silicon Darlington Transistors
For general AF applications
High collector current
High current gain
Complementary types: BCV26, BCV46 (PNP)
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
3
1
2
Type
BCV27
BCV47
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
BCV27
BCV47
Collector-base voltage
BCV27
BCV47
Emitter-base voltage
Collector current
Marking
FFs
FGs
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
2=E
Symbol
V
CEO
30
60
V
CBO
40
80
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
10
500
800
100
200
360
150
Package
SOT23
SOT23
Value
Unit
V
3=C
3=C
mA
Peak collector current,
t
p
10 ms
Base current
Peak base current
Total power dissipation-
T
S
74 °C
Junction temperature
Storage temperature
mW
°C
-65 ... 150
1
2011-10-05

BCV27E6327XT相似产品对比

BCV27E6327XT BCV27 BCV47 BCV27E6395HTMA1 BCV47E6393HTSA1
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon 500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 TRANSISTOR AF SOT23 TRANSISTOR AF SOT23
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - -
Reach Compliance Code compli compliant compli - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - -
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A - -
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 60 V - -
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON - -
最小直流电流增益 (hFE) 4000 4000 2000 - -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - -
元件数量 1 1 1 - -
端子数量 3 3 3 - -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
极性/信道类型 NPN NPN NPN - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
表面贴装 YES YES YES - -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
标称过渡频率 (fT) 170 MHz 170 MHz 170 MHz - -
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