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K4F64162D-TP50

产品描述Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
产品类别存储    存储   
文件大小354KB,共35页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4F64162D-TP50概述

Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50

K4F64162D-TP50规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1155474520
包装说明TSOP, TSOP50,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间50 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G50
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
端子数量50
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

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