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K4B4G0846B-HCF80

产品描述DDR DRAM, 512MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共64页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4B4G0846B-HCF80概述

DDR DRAM, 512MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78

K4B4G0846B-HCF80规格参数

参数名称属性值
Objectid113496701
包装说明FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
端子数量78
字数536870912 words
字数代码512000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度8
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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