FIFO, 64KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | PLASTIC, TQFP-80 |
针数 | 80 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 5 ns |
其他特性 | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 128K X 9; RETRANSMIT; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE |
备用内存宽度 | 9 |
最大时钟频率 (fCLK) | 133.3 MHz |
周期时间 | 7.5 ns |
JESD-30 代码 | S-PQFP-G80 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 14 mm |
内存密度 | 1179648 bit |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 80 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64KX18 |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装等效代码 | QFP80,.64SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大待机电流 | 0.015 A |
最大压摆率 | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
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