NAND Gate, LS Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, FL14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 系列 | LS |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 8 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 1.1 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 20 ns |
| 传播延迟（tpd） | 20 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 2.032 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 6.2865 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 54LS30FMQB | DM54LS30J | 54LS30LMQB | 54LS30DMQB | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | NAND Gate, LS Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14 | NAND Gate, LS Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 | NAND Gate, LS Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | NAND Gate, LS Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP | DIP | QLCC | DIP |
| 包装说明 | DFP, FL14,.3 | DIP, DIP14,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 | 14 | 20 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknown |
| 系列 | LS | LS | LS | LS |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F14 | R-GDIP-T14 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 输入次数 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 20 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP | DIP | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | FL14,.3 | DIP14,.3 | LCC20,.35SQ | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 1.1 mA | 1.1 mA | 1.1 mA | 1.1 mA |
| 传播延迟（tpd） | 20 ns | 20 ns | 20 ns | 20 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 2.032 mm | 5.08 mm | 1.905 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | NO |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 6.2865 mm | 7.62 mm | 8.89 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 20 ns | 20 ns | 20 ns | - |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B | - | MIL-STD-883 Class B | MIL-STD-883 Class B |
| 长度 | - | 19.43 mm | 8.89 mm | 19.43 mm |
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