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FA1L4ZL62

产品描述PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小165KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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FA1L4ZL62概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346

FA1L4ZL62规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)200
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FA1L4ZL62相似产品对比

FA1L4ZL62 FA1L4ZL61
描述 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 200 135
元件数量 1 1
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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