电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

KM41C1001BJ-10

产品描述Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
产品类别存储    存储   
文件大小499KB,共15页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

KM41C1001BJ-10概述

Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20

KM41C1001BJ-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ20/26,.34
针数20
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.145 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度3.68 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

KM41C1001BJ-10相似产品对比

KM41C1001BJ-10 KM41C1001BZ-10 KM41C1001BZ-8 KM41C1001BJ-8 KM41C1001BJ-6 KM41C1001BZ-6 KM41C1001BJ-7 KM41C1001BP-10 KM41C1001BP-6 KM41C1001BP-7
描述 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Nibble Mode DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 SOJ ZIP ZIP SOJ SOJ ZIP SOJ DIP DIP DIP
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
针数 20 20 20 20 20 20 20 18 18 18
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE
最长访问时间 100 ns 100 ns 80 ns 80 ns 60 ns 60 ns 70 ns 100 ns 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PZIP-T19 R-PZIP-T19 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T19 R-PDSO-J20 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.145 mm 26.165 mm 26.165 mm 17.145 mm 17.145 mm 26.165 mm 17.145 mm 22.02 mm 22.02 mm 22.02 mm
内存密度 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 19 19 20 20 19 20 18 18 18
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ ZIP ZIP SOJ SOJ ZIP SOJ DIP DIP DIP
封装等效代码 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512 512 512 512 512
座面最大高度 3.68 mm 10.16 mm 10.16 mm 3.68 mm 3.68 mm 10.16 mm 3.68 mm 4.65 mm 4.65 mm 4.65 mm
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.065 mA 0.065 mA 0.075 mA 0.075 mA 0.095 mA 0.095 mA 0.085 mA 0.065 mA 0.095 mA 0.085 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES YES NO YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL ZIG-ZAG ZIG-ZAG DUAL DUAL ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 2.96 mm 2.96 mm 7.62 mm 7.62 mm 2.96 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 230  429  711  843  1551 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved