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SG-8002DBFREQ-PTCS:ROHS

产品描述CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 125 MHz, CMOS/TTL OUTPUT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-14/4
产品类别无源元件    振荡器   
文件大小223KB,共2页
制造商Seiko Epson Corporation
标准
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SG-8002DBFREQ-PTCS:ROHS概述

CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1 MHz - 125 MHz, CMOS/TTL OUTPUT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-14/4

SG-8002DBFREQ-PTCS:ROHS规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Seiko Epson Corporation
Reach Compliance Codeunknown
其他特性OUTPUT ENABLE FUNCTION; STICK
最长下降时间4 ns
频率调整-机械NO
频率稳定性100%
JESD-609代码e3/e6
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最大工作频率125 MHz
最小工作频率1 MHz
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
振荡器类型CMOS/TTL
输出负载5 TTL, 15 pF
物理尺寸19.8mm x 6.36mm x 5.3mm
最长上升时间4 ns
最大供电电压5.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
最大对称度60/40 %
端子面层TIN/TIN BISMUTH
Base Number Matches1

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Crystal oscillator
Epson Toyocom
Product Number (please contact us)
CRYSTAL OSCILLATOR
PROGRAMMABLE
SG-8002DC: Q3204DCx1xxxx00
SG-8002DB: Q3203DBx1xxxx00
SG - 8002DC
/
DB
series
•Frequency
range
•Supply
voltage
•Function
1 MHz to 125 MHz
3.3 V / 5.0 V
Output enable(OE) or Standby(
ST
)
Pin compatible with full size and half size.
•Short
mass production lead time by PLL technology.
•SG-Writer
available to purchase.
Please contact EPSON TOYOCOM or local sales representative.
:
:
:
Actual size
SG-8002DC
SG-8002DB
Specifications (characteristics)
Item
Output frequency range
Supply voltage
Temperature
range
Storage
temperature
Operating
temperature
Symbol
Specifications
*2
PT
/
ST
PH
/
SH
1 MHz to 125 MHz
-
-
4.5 V to 5.5 V
-55
°C
to +125
°C
-20
°C
to +70
°C
(-40
°C
to +85
°C)
-6
f
0
V
CC
T_stg
T_use
f_tol
PC
/
SC
-
V
CC
=4.5 V to 5.5 V
1 MHz to 125 MHz V
CC
=3.0 V to 3.6 V
1 MHz to 66.7 MHz V
CC
=2.7 V to 3.6 V
2.7 V to 3.6 V
Remarks
Store as bare product after unpacking
-40
°C
to +85
°C
-6
Refer to “Outline specifications” (Frequency range)
B:
±50 ×
10 ,C:
±100 ×
10
-20
°C
to +70
°C
M:
±100 ×
10
-6
-40
°C
to +85
°C
*3
Current consumption
Icc
45 mA Max.
28 mA Max.
No load condition, Max. frequency
Disable current
I_dis
30 mA Max.
16 mA Max.
OE=GND(PT,PH,PC)
Stand-by current
I_std
50
μA
Max.
ST
=GND(ST,SH,SC)
-
40 % to 60 %
CMOS load:50%Vcc level, Max. load condition
Symmetry
*1
SYM
-
TTL load: 1.4 V level, Max. load condition
40 % to 60 %
High output voltage
V
OH
V
CC
-0.4 V Min.
I
OH
=-16 mA(PT,ST,PH,SH),-8 mA(PC,SC)
Low output voltage
V
OL
0.4 V Max.
I
OL
=16 mA(PT,ST,PH,SH), 8 mA(PC,SC)
Output load condition (TTL)
*1
L_TTL
5 TTL Max.
-
Max. frequency and
Max. supply voltage
Output load condition (CMOS)
*1
L_CMOS
15 pF Max.
25 pF Max.
15 pF Max.
Output enable /
V
IH
2.0 V Min.
70 % V
CC
Min.
ST
terminal or OE terminal
disable input voltage
0.8 V Max.
20 % V
CC
Max.
V
IL
-
3 ns Max.
CMOS load: 20 % V
CC
to 80 % V
CC
level
Rise time / Fall time
*1
t
r
/
t
f
-
TTL load: 0.4 V to 2.4 V level
4 ns Max.
10 ms Max.
Time at minimum supply voltage to be 0 s
Start-up time
t_str
-6
+25 °C, V
CC
=5.0 V/ 3.3 V (PC/SC) First year
±5 ×
10 / year Max.
Frequency aging
f_aging
*1
Operating temperature (-40
°C
to +85
°C),
the available frequency, symmetry and output load conditions, please refer to “Outline specifications” page.
Frequency tolerance
*2
PLL-PLL connection & Jitter specification, please refer to “Jitter specifications and characteristics chart” page.
*3
PT
/
ST and PH
/
SH for “M” tolerance will be available up to 55 MHz.
Checking possible by the Frequency Checking Program.
.
External dimensions
(Unit:mm)
SG-8002DC
#8
#5
SG-8002DB
Pin map
Pin
Connection
1
OE or
ST
4
GND
5
OUT
8
V
CC
#14
#8
EPSON
100.0000 C
2PH
9357B
#1
EPSON 9357B
#1
13.7 Max.
#4
2.54 Min. 5.3 Max.
7.62
19.8 Max.
#7
6.36
6.6
16.0000 C 2PH
Pin map
Pin
Connection
1
OE or
ST
7
GND
8
OUT
14
V
CC
2.54 Min.
5.3 Max.
7.62
0.51
7.62
0.2Min.
0.25
90°~105°
0.51
15.24
ST
pin (ST, SH, SC)
ST
pin = "H" or "open" : Specified frequency output.
ST
pin = "L" : Output is low level (weak pull - down), oscillation stops.
0.25
90°~105°
0.2 Min.
Note.
OE Pin (PT, PH, PC)
OE pin = "H" or "open" : Specified frequency output.
OE pin = "L" : Output is high impedance.
To maintain stable operation, provide a 0.01uF to 0.1uF by-pass capacitor at a location as near as possible to the power source
terminal of the crystal product (between Vcc - GND).
http://www.epsontoyocom.co.jp
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