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MVPLAD30KP33CE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小269KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MVPLAD30KP33CE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

MVPLAD30KP33CE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1614794839
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最大击穿电压44.9 V
最小击穿电压36.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码S-PSSO-G1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压33 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
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