电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZW04P33B

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 33.3V V(RWM), Bidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
下载文档 详细参数 全文预览

BZW04P33B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 33.3V V(RWM), Bidirectional

BZW04P33B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值40 V
最大钳位电压53.9 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压33.3 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BZW04P-5V8 --- BZW04-376
BREAKDOWN VOLTAGE: 5.8 --- 376 V
PEAK PULSE POWER: 400 W
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Plastic package
has underwriters laboratory
flam
mability
classification
94V-0
Glass passivated junction
400W peak pulse power capability with a 10/1000μs
waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%
Excellent clam ping capability
Fast response tim e: typically less than 1.0ps from 0 Volts to
V
(BR)
for uni-directional and 5.0ns for bi-directional types
Devices with V
(BR)
10V I
D
are typically I
D
less than 1.0
μA
High temperature soldering guaranteed:265 / 10 seconds,
0.375"(9.5mm) lead length, 5lbs. (2.3kg) tension
DO-41
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--41, molded plastic body over
passivated junction
Term inals:
axial
leads, solderable per MIL-STD-750,
m ethod 2026
Polarity:
foruni-directional
types the color band denotes
the cathode, which is postitive with respect to the
anode under normal TVS operation
Weight: 0.012 ounces, 0.34 gram s
Mounting position:
any
DEVICES FOR BIDIRECTIONAL APPLICATIONS
For bi-directional use add suffix letter "B" (e.g. BZW04P-6V4B).
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient tem perature unless otherwise specified.
SYMBOL
Peak
pow
er
dissipation
w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE 1, FIG.1)
Peak
pulse current
w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE 1)
Steady
state pow
er
dissipation
at T
L
=75
fffffLead
lengths
0.375"(9.5mm) (NOTE 2)
Peak
forw
ard
surge current,
8.3ms
single
half
ffffSine-wave
superimposed
on
rated load
(JEDEC Method) (NOTE 3)
Maximum
instantaneous forw
ard
voltage
at 25A for unidirectional only (NOTE 4)
Operating
junction
and
storage temperature range
VALUE
Minimum 400
See
table
1
1.0
40.0
3.5/6.5
-50---+175
UNIT
W
A
W
A
V
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
T
J
, T
STG
NOTES: (1) Non-repetitive current pules, per Fig. 3 and derated above T
A
=25 per Fig. 2
(2) Mounted on copper pad area of 1.6" x 1.6"(40 x40mm
2
) per Fig. 5
(3) Measured of 8.3ms single half sine-w ave or equare w ave, duty cycle=4 pulses per minute maximum
(4) V
F
=3.5 Volt max. for devices of V
(BR)
220V, and V
F
=5.0 Volt max. for devices of V
(BR)
>220V
www.galaxycn.com
Document Number 0285007
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.
25美分能买到什么MCU?
不可否认的是,TI还是有钱人~~ 说做MCU,这回又砸向了8位单片机市场: 起价仅 25 美分的 MSP430G2xx 系列 旨在用16位MCU的性能、8位MCU的价格攻城略地。 38838 38839 据称第一批 ......
老夫子 淘e淘
快速傅里叶变换 FFT
504316 意义:傅里叶变换是将信号从时域转换到频域,这样在时域上一些交叉在一起的、看不出来的信号的特性,在频域上就很明显的能看出来了。比如下图: 快速傅里叶变换 <wbr>FFT 5 ......
灞波儿奔 DSP 与 ARM 处理器
叁芯智能B01开发板的资料链接---有需要的可以下载
链接:https://pan.baidu.com/s/1IDO5VjZR3i2bOlLZFN_2SA 提取码:u9oy 复制这段内容后打开百度网盘手机App,操作更方便哦 ...
郝旭帅 FPGA/CPLD
win ce 下的串口的问题
我想在win ce 下开发一个串口通信的控制软件 不知道怎么下手。请高手们指点迷精。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 用什么编程软件,等等;...
wellee 嵌入式系统
嵌入式开发概念问题,请前辈引路
请问嵌入式系统移植是怎样的一个概念? 和原来我们所说的单片机对比来说 在系统上编程又有什么不同,如果是否需要学习vc,我只会c 还有驱动编程,又是怎么一回事,和单片机的IO口控制,flash ......
maosongbai 嵌入式系统
十大电动调节阀故障处理实例
故障一:执行器不动作,但控制模块电源和信号灯均亮。 处理方法:检查电源电压是否正确;电动机是否断线;十芯插头从端到各线终端是否断线;电动机、电位器、电容各接插头是否良好;用对比互换 ......
yunrun 综合技术交流

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2432  166  529  518  1577  24  52  34  23  30 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved