2014-02-19
Silicon NPN Phototransistor in MIDLED package
NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäuse
Version 1.1
SFH 3605
Features:
•
•
•
•
•
•
Spectral range of sensitivity:
(typ) 500 ... 1100
Package:
MIDLED, Silicone, colourless, clear
Narrow angle (± 20°)
Low profile component (1,6 mm)
Emitter in same package (SFH 46xx) available
Taping as Sidelooker
nm
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
•
•
•
•
•
Gehäuse:
MIDLED, Silikon, farblos, klar
Enger Empfangswinkel (± 20°)
Geringe Bauhöhe (1,6 mm)
Emitter im gleichen Gehäuse (SFH 46x) verfügbar
Taping as Sidelooker
Besondere Merkmale:
(typ) 500 ... 1100 nm
Applications
•
•
•
•
Interrupters, light curtains
Sensors (consumer and industrial applications)
Automotive applications
Proximity sensor
•
•
•
•
Anwendungen
Lichtschranken, Lichtvorhänge
Sensorik (Consumer, Industrieelektronik)
Automobilanwendungen
Näherungssensor
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.1 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
SFH 3605
SFH 3605-2/3
SFH 3605-3/4
Note:
Anm.:
Ordering Code
Bestellnummer
100 ... 500
100 ... 320
160 ... 500
Q65110A1574
Q65110A2663
Q65110A2664
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
2014-02-19
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
1)
page 13
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1)
Seite 13
SFH 3605
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
Values
Werte
-40 ... 100
35
15
75
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
EC
P
tot
R
thJA
7
130
340
V
mW
K/W
Thermal restistance junction
2)
page 13
Wärmewiderstand Sperrschicht/Lötstelle
2)
Seite 13
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
R
thJS
180
K/W
Symbol
Symbol
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
λ
S max
λ
10%
A
LxW
Values
Werte
990
(typ) 500
... 1100
0.04
(typ) 0.35
x 0.35
Unit
Einheit
nm
nm
mm
2
mm x
mm
2014-02-19
2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Half angle
Halbwinkel
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 5 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 20 V, E = 0)
(typ)
(typ)
Symbol
Symbol
ϕ
C
CE
Values
Werte
± 20
1.3
SFH 3605
Unit
Einheit
°
pF
(typ (max)) I
CE0
1 (≤ 50)
nA
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3
Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C,
λ
= 950 nm)
Gruppierung
Group
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Min Fotostrom
Max Fotostrom
SFH 3605
Rise and fall time Collector-emitter
saturation
voltage
Anstiegs- und
Abfallzeit
Kollektor-Emitter
Sättigungsspann
ung
Gruppe
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
-2
-3
-4
100
160
250
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
200
320
500
I
C
= 100
μA,
V
CC
= I
C
= I
PCEmin
x 0.3,
5 V, R
L
= 10 kΩ
E
e
= 0.1 mW/cm
2
(typ) t
r
, t
f
[µs]
30
45
70
(typ) V
CEsat
[mV]
150
150
150
Note.: I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.:
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
Relative Spectral Sensitivity
3)
page 13
Relative spektrale Empfindlichkeit
3)
Seite 13
S
rel
= f(λ), axial direction
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
OHF02405
Photocurrent
3)
page 13
Fotostrom
3)
Seite 13
I
PCE
/ I
PCE
(25°C) = f(T
A
), V
CE
= 5 V
Ι
PCE
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
OHF01524
Ι
PCE 25
20
10
0
400 500 600 700 800 900
nm 1100
0.2
0
-25
0
25
50
λ
75 C 100
T
A
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4
Version 1.1
Dark Current
3)
page 13
Dunkelstrom
3)
Seite 13
I
CEO
= f(V
CE
), E = 0
10
1
nA
OHF02420
SFH 3605
Dark Current
3)
page 13
Dunkelstrom
3)
Seite 13
I
CEO
= f(T
A
), V
CE
= 20 V, E = 0
10
3
nA
OHF00380
I
R
Ι
CEO
10
2
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
-2
0
5
10
15
20
25 V 30
10
-1
0
20
40
60
V
R
80 ˚C 100
T
A
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
3)
Seite 13
C
CE
= f(V
CE
), f = 1 MHz, E = 0
3.0
pF
2.5
3)
page 13
OHF00592
C
CE
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
2014-02-19
5
51单片机
京公网安备 11010802033920号
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