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PTVA084007NF: 产品描述Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 370 W, 48 V, 755 – 805 MHz; 文件大小486KB，共9页; 制造商Cree(科瑞); 官网地址http://www.cree.com/

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PTVA084007NF概述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 370 W, 48 V, 755 – 805 MHz

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TI的POS设计参考的电池问题: 又想起了那套POS的芯片，总想把他们利用起来，于是又看看大神发的这个帖子[url]https://bbs.eeworld.com.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=359651&page=1#pid1441045%C2%A0[/url]当然，看了看之后问题就来了[table=98%][tr][td=189][align=left][font=宋体][size=3][co...; lidonglei1 模拟与混合信号

苹果iPod手机的期待: ...; Felix

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[GD32F310评测]板子未到分配先行: 电机驱动资源规划按照之前的规划应当确保芯片具备三相桥的驱动能力，确定芯片的IO分配。用于评测的芯片信号是GD32F310G8U6，只有28个引脚，芯片资源相对紧张，所以这一步规划异常关键。首先可以在芯片的Data Sheet中找到这款芯片的引脚定义。在给出的数据手册2.6.4节，GD32F310G8U6 QFN28 pin definitions，想到偷懒最好的办法就是直接用这张表格和STM32对...; javnson GD32 MCU

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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