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KM41C1002CTR-6

产品描述Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20
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文件大小63KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM41C1002CTR-6概述

Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20

KM41C1002CTR-6规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2-R,
针数20
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间60 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G20
长度17.14 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
组织1MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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