2014-01-10
Silicon Differential Photodiode
Silizium-Differential-Fotodiode
Version 1.1
BPX 48
• Especially suitable for applications from 400 nm to
1100 nm
• High photosensitivity
• DIL plastic package with high packing density
• Double diode with extremely high
homogeneousness
Features:
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
400 nm bis 1100 nm
• Hohe Fotoempfindlichkeit
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
• Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
•
Industrial electronics
For control and drive circuits
Edge control
Follow-up control
Path and angle scanning
•
•
•
•
•
Anwendungen
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
Kantenerkennung
Nachlaufsteuerung
Weg- bzw. Winkelabtastungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V, T = 2856 K
I
P
[µA]
BPX 48
24 (≥ 15)
Q62702P0017S001
Ordering Code
Bestellnummer
2014-01-10
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
P
tot
Values
Werte
-40 ... 80
10
50
BPX 48
Unit
Einheit
°C
V
mW
Characteristics
(T
A
= 25 °C, per single diode / für jede Einzeldiode)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Photocurrent
Fotostrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V, T = 2856 K)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 850 nm)
Max. deviation from average for each single diode
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der
Einzeldiode vom Mittelwert
Symbol
Symbol
I
P
Values
Werte
24 (≥ 15)
Unit
Einheit
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
900
400 ... 1150
1.54
0.7 x 2.2
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 60
10 (≤ 100)
S
λ
typ
0.55
A/W
ΔS
±5
%
2014-01-10
2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 1 kΩ,
λ
= 850 nm)
Forward voltage
Durchlassspannung
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(Std. Light A)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm)
Symbol
Symbol
η
Values
Werte
0.80
BPX 48
Unit
Einheit
Electro
ns
/Photon
mV
V
O
330 (≥ 280)
I
SC
24
µA
t
r
, t
f
0.5
µs
V
F
C
0
1.3
25
V
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.18
mV / K
%/K
NEP
0.103
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
1.2e12
2014-01-10
3
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5V) / V
O
= f(E
V
)
BPX 48
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
2014-01-10
4
Version 1.1
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
BPX 48
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
S
rel
= f(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2014-01-10
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
