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2NBS08-TF2-152: 产品描述RESISTOR, NETWORK, FILM, BUSSED, 0.6W, SURFACE MOUNT, 1620, SOIC; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小347KB，共4页; 制造商Bourns; 官网地址http://www.bourns.com

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2NBS08-TF2-152概述

RESISTOR, NETWORK, FILM, BUSSED, 0.6W, SURFACE MOUNT, 1620, SOIC

散分，让我费解的延时函数: [code]/****************************//延时*****************************/void Delay(uchar n){uchar tt;for(tt = 0;tt; wanqun 嵌入式系统

变电站高频开关电源应用选型初探: 1、引言目前，电力系统大量的综合自动化[url=http://tech.bjx.com.cn/keyword.asp?keyword=变电][color=#0000ff]变电[/color][/url]站的新建和改造，使得大量的高频[url=http://tech.bjx.com.cn/keyword.asp?keyword=开关电源][color=#0000ff]开关电源[/color][/ur...; eeleader 工控电子

大过年聊聊送礼的事情（也说说论坛的E金币）: 又到年底了，印象里，我好像挺幸运的，从来论坛到现在，三年多了，好像3年都拿了年度奖，只是等级不同，今年更让我意外的是拿了一等奖......因为最后这一两个月，我几乎就没怎么上论坛。而且，那天挺巧的，当时中午，紧张地排查了一个上午的bug，正打算歇会，换换气，就打开了很久没登陆的论坛，恰好看到年度奖的帖子。于是就点开看看——大概人的第一反应都是看左边，所以我一眼看去都是字符串（编程后遗症......; 辛昕为我们提建议&公告

在分压式偏置电路的直流通路中I2>>IB是如何得出的: 在分压式偏置电路的直流通路中，书上说偏置电阻R2上的电流I2远远大于基极电流IB，即I2>>IB，请问这是如何得出的啊？...; Erespreciosa 嵌入式系统

在跑MIG布局布线后仿真时碰到的两个问题：无法调用模块下信号线和不识DDR行为模型: 背景是控制用MIG生成DDR SDRAM控制器，测试环境是这样的，顶层是我写的TESTBENCH,顶层下有两个模型，一个就是可综合的模型（包括MIG生成的核和我写的状态机),另一个模型就是从MICRON公司下载的DDR的行为模型。跑行为模型时没有问题，但在跑布局布线后仿真时有两个问题：1 用ISE生成用于布局布线后仿真的模型后想继续做Post- Route Simulation (这里用MODEL...; zhj1985 FPGA/CPLD

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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