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PTF080601F

产品描述LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小276KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PTF080601F概述

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)227 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Developmental PTF080601
LDMOS RF Power Field Effect Transistor
60 W, 860–960 MHz
Description
The PTF080601 is a 60–W, internally matched
GOLDMOS
FET intended
for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold
metallization ensures excellent device lifetime and reliability.
Typical EDGE Modulation Spectrum Performance
Mod Spectrum vs. Output Power
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 550 mA, f = 959.8 MHz
-20
Efficiency
50
45
40
35
30
400KHz
25
20
600KHz
15
10
5
32
34
36
38
40
42
44
46
Features
Broadband internal matching
Typical EDGE performance
- Average output power = 30 W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 40%
Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 90 W
- Gain = 17 dB
- Efficiency = 60%
Integrated ESD protection: Human Body
Model, Class 1 (minimum)
Excellent thermal stability
Low HCI drift
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
60 W (CW) output power
Modulation Spectrum (dB)
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
Efficiency (%)
PTF080601A
Package 20248
PTF080601E
Package 30248
PTF080601F
Package 31248
Output Power (dBm)
RF Characteristics
at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Two-Tone Measurements
(tested in Infineon test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 550 mA, P
OUT
= 60 W PEP, f
C
= 960 MHz, tone spacing = 1000 kHz
Characteristic
Gain
Drain Efficiency
Intermodulation Distortion
Symbol
G
ps
η
D
IMD
Min
Typ
18
42
–32
Max
Units
dB
%
dBc
EDGE Measurements
(not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 550 mA, P
OUT
= 30 W, f = 959.8 MHz
Characteristic
Error Vector Magnitude
Modulation Spectrum @ 400 KHz
Modulation Spectrum @ 600 KHz
Gain
Drain Efficiency
Developmental Data Sheet
1
Symbol
EVM (RMS)
ACPR
ACPR
G
ps
η
D
Min
Typ
2.0
–61
–74
18
40
Max
Units
%
dBc
dBc
dB
%
2003-12-05

PTF080601F相似产品对比

PTF080601F PTF080601E PTF080601A PTF080601
描述 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 -
针数 2 2 2 -
Reach Compliance Code compli compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY -
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 65 V 65 V 65 V -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND -
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLATPACK FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 227 W 227 W 180 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES -
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN -
端子形式 FLAT FLAT FLAT -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
贴片微带滤波器实列
fa0d36dd4f6e88a5062a7e3529747332 ...
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同时使用4个中断 定时器中断、内部中断、SPI中断、外部中断,IMR=? 始终进不了外部中断 内部中断的中断标志位值乱跑。。。。:Cry: 本帖最后由 zdhsteven 于 2013-4-26 22:51 编辑 ]...
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