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TND721MH5

产品描述IGBT DRIVER
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小47KB,共6页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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TND721MH5概述

IGBT DRIVER

TND721MH5规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明VSOF, TSSOP6,.08
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-F5
长度2 mm
功能数量1
端子数量5
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出电流流向SOURCE AND SINK
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSOF
封装等效代码TSSOP6,.08
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.85 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压2.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式FLAT
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
断开时间2 µs
接通时间1 µs
宽度1.6 mm
Base Number Matches1

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注文コード No. N 7 4 4 9
TND721MH5
No.
N7449
31504
半導½ニューズ No.N6481 とさしかえてください。
TND721MH5
特長
・バッファタイプ。
・モノリシック構造
(CMOS プロセス採用)
・駆動回路の構成簡素化が可½。
エクセレントパワーデバイス
IGBT ドライバー
・TTL / CMOS コンパチブル IH=2.0V 以下、at VDD=2.5 ∼ 5.5V)
(V
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
(電圧パラメータは、GND 端子に対する電圧)
unit
電源電圧
入力電圧
出力電圧
許容損失
接合部温度
保存周囲温度
VDD
VIN
− 0.3 ∼+ 7.5
− 0.3 ∼ VDD + 0.3
V
V
V
W
VOUT
− 0.3 ∼ VDD + 0.3
2
PD
セラミック基板(600mm × 0.8mm)装着時
0.8
Tj
Tstg
− 55 ∼+ 150
− 55 ∼+ 150
推奨動½条件
Recommended Operating Conditions / Ta=25℃
(電圧パラメータは、GND 端子に対する電圧)
電源電圧
入力電圧
出力電圧
動½周囲温度
VDD
VIN
VOUT
Topr
2.5 ∼+ 5.5
0 ∼ VDD
0 ∼ VDD
− 40 ∼+ 85
unit
V
V
V
電気的特性(AC
特性) Electrical Characteristics / Ta=25℃, VIN=2.5V ∼ VDD, CL=5000pF
min
ターンオン上昇時間
ターンオフ下降時間
tr
tf
VDD=5V
VDD=2.5V
VDD=5V
VDD=2.5V
typ
500
1200
500
1400
max
1000
2000
1000
2000
unit
ns
ns
ns
ns
次ページへ続く。
単½品名表示:XL
外½図 2220
(unit : mm)
0.25
0.3
0.15
4
5
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を
要する用途
(生½維持装½、
航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)
に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2.1
1.6
0.25
0.65
2.0
(Bottom view)
0.07
3
2
1
5
4
0.85
1 : NC
2 : OUT
3 : VDD
4 : IN
5 : GND
SANYO : MCPH5
1
2
3
(Top view)
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
31504 TS IM ◎½藤 TA-3935 No.7449-1/6

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