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PU7457

产品描述Silicon N-Channel Power F-MOS FET (with built-in zener diode)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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PU7457概述

Silicon N-Channel Power F-MOS FET (with built-in zener diode)

PU7457规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T10
针数10
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)22.5 mJ
配置2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T10
元件数量4
端子数量10
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)9 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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