RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 1415809265 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.45 A |
基于收集器的最大容量 | 4.4 pF |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | O-CRPM-F4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 17 W |
最大功率耗散 (Abs) | 17 W |
最小功率增益 (Gp) | 10 dB |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | RADIAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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