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MMBT6427/L99Z

产品描述1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共2页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

MMBT6427/L99Z概述

1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

MMBT6427/L99Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.2 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)14000
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

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