Hyper TOPLED
®
RG
Hyper-Bright LED
LS T776, LA T776, LO T776
LY T776
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
VPL06899
Features
q
q
q
q
q
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
Semiconductor Group
1
11.96
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Typ
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Type
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
25 …
40 …
63 …
100 …
40 …
40 …
63 …
100 …
160 …
63 …
40 …
63 …
100 …
160 …
63 …
40 …
63 …
100 …
160 …
63 …
200
80
125
200
320
320
125
200
320
500
320
125
200
320
500
320
125
200
320
500
Luminous
Flux
I
F
= 20 mA
Φ
V
(mlm)
-
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Ordering Code
LS T776-NR
LS T776-P
LS T776-Q
LS T776-R
LS T776-PS
LA T776-PS
LA T776-Q
LA T776-R
LA T776-S
LA T776-QT
LO T776-PS
LO T776-Q
LO T776-R
LO T776-S
LO T776-QT
LY T776-PS
LY T776-Q
LY T776-R
LY T776-S
LY T776-QT
super-red
Q62703-Q3270
Q62703-Q3271
Q62703-Q3272
Q62703-Q3273
Q62703-Q3274
Q62703-Q3914
Q62703-Q3915
Q62703-Q3916
Q62703-Q3917
Q62703-Q3918
Q62703-Q3275
Q62703-Q3276
Q62703-Q3277
Q62703-Q3278
Q62703-Q3279
Q62703-Q3280
Q62703-Q3281
Q62703-Q3282
Q62703-Q3283
Q62703-Q3284
amber
colorless clear
orange
colorless clear
yellow
colorless clear
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
2
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
LS, LO, LA LY
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
30
1
20
0.2
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
80
3
55
500
V
mW
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*
)
PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Symbol
Symbol
LS
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆
λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
TC
λ
TC
λ
(typ.)
(typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
645
LA
622
Werte
Values
LO
610
LY
591
nm
Einheit
Unit
632
615
605
587
nm
16
16
16
15
nm
120
2.0
2.6
0.01
10
120
2.0
2.6
0.01
10
120
2.0
2.6
0.01
10
120
2.0
2.6
0.01
10
Grad
deg.
V
V
µA
µA
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14
0.13
0.13
0.13
nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
TC
V
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
4
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
模拟电子
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
