LC Mini TOPLED
®
RG
Low Current LED
LS M779, LY M779, LG M779
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
VPL06926
Features
q
q
q
q
q
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
Typ
Type
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
super-red
yellow
green
colorless clear
colorless clear
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 2 mA
I
V
(mcd)
0.25 ... 0.5
0.40 ... 0.8
0.25 ... 0.5
0.40 ... 0.8
Luminous
Flux
I
F
= 2 mA
Φ
V
(mlm)
3.0 typ.
3.0 typ.
Ordering Code
LS M779-CF
LS M779-DG
LY M779-CF
LY M779-DG
LG M779-CO
Q62703-Q3740
Q62703-Q3744
Q62703-Q3945
Q62703-Q3946
Q62703-Q3050
≥
0.25 (1.0 typ.) 3.0 typ.
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LS M779, LY M779, LG M779
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
7.5
0.15
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
5
20
530
V
mW
K/W
R
th JA
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
*
)
PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
LS M779, LY M779, LG M779
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 7.5 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 7.5 mA
Symbol
Symbol
LS
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
635
Werte
Values
LY
586
LG
565
nm
Einheit
Unit
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
∆λ
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 7.5 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 2 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
2ϕ
45
45
25
nm
120
1.8
2.6
0.01
10
3
120
2.0
2.7
0.01
10
3
120
1.9
2.6
0.01
10
15
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LS M779, LY M779, LG M779
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 7.5 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LS M779, LY M779, LG M779
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(2 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
T
A
)
Max. permissible forward current
Semiconductor Group
5
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