GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Chip
position
LD 261
2.4
2.1
1.9
1.7
0.5
0.4
2.7
2.5
0.25
0.15
0.7
0.6
0 ... 5
0.4 A
A
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
1.4
1.0
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
2.1
1.5
2.54 mm spacing
3.5
3.0
3.6
3.2
1) Detaching area for tools, flash not true to size.
Approx. weight 0.03 g
GEO06021
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehäusegleich mit BPX 81
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Available in bins
q
Same package as BPX 81
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
LD 261
LD 261-5
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q395
Q62703-Q67
Gehäuse
Package
Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför-
mig im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Lötspieß
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking: projec-
tion at solder lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
feo06021
LD 261
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ ≤
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
80
5
50
1.6
70
750
650
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJL
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
15
0.25
0.5
×
0.5
1.3 ... 1.9
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 261
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
V
R
= 0 V
Capacitance
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
1
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
I
R
Φ
e
1.25
(≤
1.4)
0.01
(≤
1)
9
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
LD 261
Werte
Values
LD 261-5
Einheit
Unit
I
e
2 ... 6.3
3.2 ... 6.3
mW/sr
Semiconductor Group
3
1997-11-01
LD 261
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHRD1938
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR01039
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Ι
e
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
80
Ι
F
mA
70
60
OHR01124
Ι
rel
Ι
e
(100 mA)
80
10
60
1
50
40
40
R
thJL
= 650 K/W
10
0
30
R
thJA
= 750 K/W
20
20
10
0
880
920
960
1000
λ
nm
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
,
T
L
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
A
OHR01042
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR02182
Ι
F
Ι
F
mA
D
=0
0,005
0,01
0,02
τ
D
=
τ
T
T
Ι
F
10
0
typ.
max.
10
3
0,05
0,1
0,2
10
-1
10
2
0,5
DC
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
20
10
0
1.0
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
τ
OHR01878
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
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