GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
spacing
1.3
1.0
5.9
5.5
1.0
0.7
Cathode
Approx. weight 0.5 g
Chip position
GEX06239
Cathode
29
27
9.0
8.2
spacing
2.54mm
0.4
0.8
1.8
1.2
7.8
7.5
5.9
5.5
0.4
0.6
Area not flat
Chip position
Approx. weight 0.2 g
4.8
4.2
ø4.8
ø5.1
0.6
0.4
GEO06645
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Lange Anschlüsse
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gerätefernsteuerungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Semiconductor Group
1
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
long leads
q
Available in groups
q
Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control of various equipment
q
Photointerrupters
1997-11-01
fex06628
1.8
1.2
14.0
13.0
ø5.1
ø4.8
4.8
4.2
11.4
11.0
0.6
0.4
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Typ
Type
LD 271
LD 271 L
LD271 H
LD271 HL
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q148
Q62703-Q833
Q62703-Q256
Q62703-Q838
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’)
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
130
3.5
220
330
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Capacitance
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
25
0.25
0.5
×
0.5
4.0 ... 4.6
1
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
18
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
LD 271
LD 271 L
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
LD 271 H
LD 271 HL
Einheit
Unit
I
e
I
e typ.
15 (≥ 10)
120
> 16
mW/sr
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHRD1938
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR01038
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
200
OHO00364
Ι
rel
Ι
e
(100 mA)
Ι
F
mA
160
80
10
1
60
140
120
100
40
80
10
0
60
40
20
20
0
880
920
960
1000
λ
nm
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
Semiconductor Group
4
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
A
OHR01041
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
Ι
F
10
4
mA
5
OHR00257
Ι
F
t
p
t
p
D=
T
Ι
F
T
D
=
0.005
0.01
0.02
10
0
typ.
max.
0.05
0.1
10
3
0.2
5
0.5
10
-1
DC
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
10
2
t
P
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01879
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
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