0.19 A, 800 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
最小击穿电压 | 800 V |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管元件材料 | 硅 |
最大环境功耗 | 1.8 W |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 0.1900 A |
最大漏极导通电阻 | 20 ohm |
最大漏电流脉冲 | 0.7600 A |
Q67050-T0017 | BSP300 | |
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描述 | 0.19 A, 800 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 0.19 A, 800 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
端子数量 | 4 | 4 |
表面贴装 | Yes | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | 双 | DUAL |
元件数量 | 1 | 1 |
晶体管元件材料 | 硅 | SILICON |
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