Datasheet> 器件分类 > 存储> Q67100-Q1107

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Q67100-Q1107: 产品描述1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42; 产品类别存储; 文件大小197KB，共24页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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Q67100-Q1107概述

1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42

Q67100-Q1107规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	42
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
额定供电电压	5 V
最小存取时间	60 ns
加工封装描述	0.400 INCH, 塑料, SOJ-42
状态	TRANSFERRED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	J BEND
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	16
组织	1M × 16
存储密度	1.68E7 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	1.05E6 words
位数	1M
存取方式	FAST PAGE WITH EDO
内存IC类型	EDO动态随机存取存储器
端口数	1

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16-Bit Dynamic RAM

1k Refresh

(Hyper Page Mode-EDO)

Advanced Information

• 1 048 576 words by 16-bit organization

• 0 to 70

°C

operating temperature

• Hyper Page Mode-EDO-operation

• Performance:

-50

-60

HYB 5118165BSJ/BST-50/-60

HYB 3118165BSJ/BST-50/-60

RAC

RAS access time

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

104

HPC

Hyper page mode (EDO) cycle time

• Power Dissipation, Refresh & Addressing:

HYB5118165

-50

Power Supply

Addressing

Refresh

Active

TTL Standby

CMOS Standby

715

5.5

10/10

632

-60

5 V

10 %

HYB3118165

-50

10/10

468

7.2

3.6

414

-60

3.3 V

0.3 V

1024 cycles / 16 ms

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and hidden refresh

• All inputs, outputs and clocks fully TTL (5 V versions) and LV-TTL (3.3 V version)-compatible

• Plastic Package: P-SOJ-42-1

400 mil

P-TSOPII-50/44-1 400 mil

Semiconductor Group

1998-10-01

Q67100-Q1107相似产品对比

	Q67100-Q1107	Q67100-Q1108	HYB3118165BST-60	HYB3118165BSJ-60	HYB5118165BSJ-50	HYB5118165BSJ-60	HYB5118165BST-50	HYB5118165BSJBST-50-	HYB5118165BST-60
描述	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42	1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO42
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	42	42	44	42	42	42	44	42	44
表面贴装	Yes	Yes	YES	YES	YES	YES	YES	Yes	YES
端子形式	J BEND	J BEND	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子位置	双	双	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	双	DUAL
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
组织	1M × 16	1M × 16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1M × 16	1MX16
厂商名称	-	-	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	-	-	SIEMENS
零件包装代码	-	-	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP2	-	TSOP2
针数	-	-	44	42	42	42	44	-	44
Reach Compliance Code	-	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	-	unknow
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
访问模式	-	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	-	-	60 ns	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns	-	60 ns
其他特性	-	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	-	-	R-PDSO-G44	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-G44	-	R-PDSO-G44
内存密度	-	-	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	-	16777216 bi
内存集成电路类型	-	-	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	-	EDO DRAM
端口数量	-	-	1	1	1	1	1	-	1
字数	-	-	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	-	1048576 words
字数代码	-	-	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	-	1000000
工作模式	-	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	-	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C
封装主体材料	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	-	-	3.6 V	3.6 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	-	-	3 V	3 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	-	-	3.3 V	3.3 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V
技术	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS

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