Q67100-Q2149,Q67100-Q2149 pdf中文资料,Q67100-Q2149引脚图,Q67100-Q2149电路-Datasheet-电子工程世界

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Q67100-Q2149: 产品描述3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh; 文件大小860KB，共24页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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Q67100-Q2149概述

3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh

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3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM

(Low power version with Self Refresh)

HYB 314175BJ-50/-55/-60

HYB 314175BJL-50/-55/-60

Preliminary Information

•

262 144 words by 16-bit organization

0 to 70

°C

operating temperature

Fast access and cycle time

RAS access time:

50 ns (-50 version)

55 ns (-55 version)

60 ns (-60 version)

CAS access time:

13ns (-50 & -55 version)

15 ns (-60 version)

Cycle time:

89 ns (-50 version)

94 ns (-55 version)

104 ns (-60 version)

Hype page mode (EDO) cycle time

20 ns (-50 & -55 version)

25 ns (-60 version)

High data rate

50 MHz (-50 & -55 version)

40 MHz (-60 version)

Single + 3.3 V (±0.3 V) supply with a built-

in VBB generator

•

Low Power dissipation

max. 450 mW active (-50 version)

max. 432 mW active (-55 version)

max. 378 mW active (-60 version)

Standby power dissipation

7.2 mW standby (TTL)

3.6 mW max. standby (CMOS)

0.72 mW max. standby (CMOS) for

Low Power Version

Output unlatched at cycle end allows two-

dimensional chip selection

Read, write, read-modify write, CAS-

before-RAS refresh, RAS-only refresh,

hidden-refresh and hyper page (EDO)

mode capability

2 CAS / 1 WE control

Self Refresh (L-Version)

All inputs and outputs TTL-compatible

512 refresh cycles / 16 ms

512 refresh cycles / 128 ms

Low Power Version only

Plastic Packages:

P-SOJ-40-1 400mil width

The HYB 314175BJ/BJL is the new generation dynamic RAM organized as 262 144 words by

16-bit. The HYB 314175BJ/BJL utilizes CMOS silicon gate process as well as advanced circuit

techniques to provide wide operation margins, both internally and for the system user. Multiplexed

address inputs permit the HYB 314175BJ/BJL to be packed in a standard plastic 400mil wide

P-SOJ-40-1 package. This package size provides high system bit densities and is compatible with

commonly used automatic testing and insertion equipment. System oriented features include Self

Refresh (L-Version), single + 3.3 V (± 0.3 V) power supply, direct interfacing with high performance

logic device families.

Semiconductor Group

7.96

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描述	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh	3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
厂商名称	-	-	SIEMENS	SIEMENS	-	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS
零件包装代码	-	-	SOJ	SOJ	-	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
针数	-	-	40	40	-	40	40	40	40
Reach Compliance Code	-	-	unknow	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	-	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	-	-	50 ns	55 ns	-	50 ns	60 ns	60 ns	55 ns
其他特性	-	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码	-	-	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40	-	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40	R-PDSO-J40
内存密度	-	-	4194304 bi	4194304 bi	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	-	-	EDO DRAM	EDO DRAM	-	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	-	-	16	16	-	16	16	16	16
功能数量	-	-	1	1	-	1	1	1	1
端口数量	-	-	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	-	-	40	40	-	40	40	40	40
字数	-	-	262144 words	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	-	-	256000	256000	-	256000	256000	256000	256000
工作模式	-	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	-	-	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	-	-	256KX16	256KX16	-	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	-	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	-	512	512	-	512	512	512	512
最大供电电压 (Vsup)	-	-	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	-	-	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	-	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	-	-	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	-	-	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	-	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	-	J BEND	J BEND	-	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子位置	-	-	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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