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Q67100-Q2195

产品描述3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
文件大小100KB,共17页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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Q67100-Q2195概述

3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module

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3.3V 16M
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64-Bit EDO-DRAM Module
3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
168pin unbuffered DIMM Module
with serial presence detect
HYM64V1605GU-50/-60
HYM64V1645GU-50/-60
HYM72V1605GU-50/-60
HYM72V1645GU-50/-60
168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module
for PC main memory applications
1 bank 16M x 64, 16M x 72 in 4k and 8k refresh organisations
Optimized for byte-write non-parity or ECC applications
Extended Data Out (EDO)
Performance:
-50
tRAC
tCAC
tAA
tRC
tHPC
RAS Access Time
CAS Access Time
Access Time from Address
Cycle Time
EDO Mode Cycle Time
50 ns
13 ns
25 ns
84 ns
20 ns
-60
60 ns
15 ns
30 ns
104 ns
25 ns
Single +3.3 V
±
0.3 V Power Supply
CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clocks are fully LV-TTL compatible
Serial presence detects (optional)
Utilizes 16M x 4 -DRAMs in TSOPII packages
4096 refresh cycles / 64 ms with 12 / 12 addressing ( Row / Column) for HYM64/72V1605GU
8192 refresh cycles / 128 ms with 13 / 11 addressing ( Row / Column) for HYM64/72V1645GU
Gold contact pads
Card Size: 133,35mm x 32,00 mm x 4,00 mm
This DRAM product module family is intended to be fully pin and architecture compatible
with the 168pin unbuffered SDRAM DIMM module family
Semiconductor Group
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