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74AUP2G34GM,132

产品描述buffers & line drivers 1.8V dual buf gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小195KB,共19页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP2G34GM,132概述

buffers & line drivers 1.8V dual buf gate

74AUP2G34GM,132规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6
针数6
制造商包装代码SOT886
Reach Compliance Codecompli
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUFFER
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su20.8 ns
传播延迟(tpd)20.8 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm

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74AUP2G34
Low-power dual buffer
Rev. 5 — 10 January 2013
Product data sheet
1. General description
The 74AUP2G34 provides two low-power, low-voltage buffers.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
A
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74AUP2G34GM,132相似产品对比

74AUP2G34GM,132 74AUP2G34GS,132
描述 buffers & line drivers 1.8V dual buf gate translation - voltage levels 11ns 3.6V 250mw
Brand Name NXP Semiconduc NXP Semiconduc
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6 VSON, SOLCC6,.04,14
制造商包装代码 SOT886 SOT1202
Reach Compliance Code compli compli
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 S-PDSO-N6
JESD-609代码 e3 e3
长度 1.45 mm 1 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 BUFFER BUFFER
最大I(ol) 0.0017 A 0.0017 A
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
输入次数 1 1
端子数量 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON VSON
封装等效代码 SOLCC6,.04,20 SOLCC6,.04,14
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su 20.8 ns 20.8 ns
传播延迟(tpd) 20.8 ns 20.8 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
座面最大高度 0.5 mm 0.35 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.35 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 1 mm 1 mm
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