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TV06B9V0J(B)-G

产品描述SMD Transient Voltage Suppressor
文件大小142KB,共8页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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TV06B9V0J(B)-G概述

SMD Transient Voltage Suppressor

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SMD Transient Voltage Suppressor
TV06B5V0-G Thru. TV06B441-G
Working Peak Reverse voltage: 5.0 ~ 440Volts
Power Dissipation: 600 Watts
RoHS Device
Features
-Ideally for surface mount applications.
-Easy pick and place.
-Plastic package has Underwriters Lab.
flammability classification 94V-0.
-Typical IR less than 1μA above 10V.
-Fast response time: typically less than 1nS for
uni-direction, less than 5nS for bi-directional,
form 0V to BV min.
0.191(4.85)
0.171(4.35)
0.012(0.30)
0.006(0.15)
0.087(2.20)
0.077(1.96)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
SMB/DO-214AA
Mechanical Data
-Case: JEDEC DO-214AA molded plastic.
-Terminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026
-Polarity: Cathode band denoted.
0.096(2.44)
0.083(2.13)
0.060(1.52)
0.030(0.75)
0.216(5.50)
0.201(5.10)
0.008(0.20)
0.001(0.02)
Dimensions in inches and (millimeter)
-Weight: 0.093 gram approx.
Rating at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristics
Peak power dissipation on 10/1000μS
waveform (Note 1, Fig.1)
Peak pulse current on 10/1000μS waveform
(Note 1, Fig.3)
Steady state power dissipation at T
L
=75
(Note 2)
O
Symbol
P
PPM
Value
600
Units
W
I
PPM
See Next Table
A
C
P
M(AV)
5.0
W
Peak forward surge current, 8.3mS single half
sine-wave superimposed on rated load, uni-
directional only (Note 3)
Maximum instantaneous forward voltage at
35.0A for uni-directional only (Note 3, 4)
Maximum operation junction temperature
Storage temperature range
I
FSM
100
A
V
F
T
J
T
STG
3.5/5.0
150
-55 to +150
V
O
C
C
O
Note:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 5 and derated above TA=25
O
C per Fig.1
2. Measured on 8.3 mS single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulse per minute maximum.
3. V
F
<3.5V for devices of V
BR
<200V and V
F
<5.0V for devices of V
BR
>201V
REV:C
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