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PXAC241702FCV1R0

产品描述RF Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PXAC241702FCV1R0概述

RF Power Field-Effect Transistor

PXAC241702FCV1R0规格参数

参数名称属性值
Objectid8191457302
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Date Of Intro2016-06-22
外壳连接SOURCE
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F4
元件数量2
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度225 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)15.5 dB
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

 
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