RF Power Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 8191457302 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Date Of Intro | 2016-06-22 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F4 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 225 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 15.5 dB |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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