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TPS2815DR: 产品描述Two input NAND, Dual High-Speed MOSFET Drivers 8-SOIC -40 to 125; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小2MB，共39页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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Two input NAND, Dual High-Speed MOSFET Drivers 8-SOIC -40 to 125

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
其他特性	ALSO REQUIRES 8V TO 40 V REGULATOR INPUT SUPPLY
高边驱动器	YES
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	NAND GATE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
湿度敏感等级	1
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
输出特性	TOTEM-POLE
最大输出电流	2 A
标称输出峰值电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	10 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
最大压摆率	0.005 mA
最大供电电压	14 V
最小供电电压	4 V
标称供电电压	10 V
表面贴装	YES
技术	BIMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	0.05 µs
接通时间	0.05 µs
宽度	3.9 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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