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IXGH31N60U1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB,共2页
制造商IXYS
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IXGH31N60U1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD

IXGH31N60U1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1436911865
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)1100 ns
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)2550 ns
标称接通时间 (ton)210 ns
VCEsat-Max1.8 V
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