DSPIC33EP32MC503-E/TL,DSPIC33EP32MC503-E/TL pdf中文资料,DSPIC33EP32MC503-E/TL引脚图,DSPIC33EP32MC503-E/TL电路-Datasheet-电子工程世界

DSPIC33EP32MC503-E/TL: 产品描述16-BIT, FLASH, 60 MHz, MICROCONTROLLER, QCC36, 5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, VTLA-36; 产品类别嵌入式处理器和控制器微控制器和处理器; 文件大小794KB，共44页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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DSPIC33EP32MC503-E/TL概述

16-BIT, FLASH, 60 MHz, MICROCONTROLLER, QCC36, 5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, VTLA-36

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	1056544578
零件包装代码	LCC
包装说明	5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, VTLA-36
针数	36
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Thailand
ECCN代码	3A991.A.2
Samacsys Manufacturer	Microchip
Samacsys Modified On	2019-01-14 07:21:59
YTEOL	7.3
地址总线宽度
位大小	16
最大时钟频率	60 MHz
外部数据总线宽度
格式	FLOATING POINT
JESD-30 代码	S-XQCC-N36
JESD-609代码	e4
长度	5 mm
湿度敏感等级	1
端子数量	36
片上程序ROM宽度	24
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	HVQCCN
封装等效代码	LCC36,.20SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
ROM可编程性	FLASH
座面最大高度	1 mm
最大压摆率	150 mA
最大供电电压	3.6 V
最小供电电压	3 V
标称供电电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型	DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, CONTROLLER

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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