M55342M04B18A2PT5,M55342M04B18A2PT5 pdf中文资料,M55342M04B18A2PT5引脚图,M55342M04B18A2PT5电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 电阻器> M55342M04B18A2PT5

M55342M04B18A2PT5: 产品描述RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小218KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 相似器件已查找到20个与M55342M04B18A2PT5功能相似器件

下载文档详细参数全文预览

M55342M04B18A2PT5概述

RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP

M55342M04B18A2PT5规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	SMT, 1505
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	NON-INDUCTIIVE, LASER TRIMMABLE
构造	Rectangul
安装特点	SURFACE MOUNT
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装高度	0.381 mm
封装长度	3.937 mm
封装形式	SMT
封装宽度	1.27 mm
包装方法	TR
额定功率耗散 (P)	0.15 W
额定温度	70 °C
参考标准	MIL-PRF-55342
电阻	18.2 Ω
电阻器类型	FIXED RESISTOR
尺寸代码	1505
表面贴装	YES
技术	THIN FILM
温度系数	300 ppm/°C
端子形状	WRAPAROUND
容差	0.1%
工作电压	125 V
Base Number Matches	1

与M55342M04B18A2PT5功能相似器件

器件名	厂商	描述
M55342M04B18A2CWS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2MT3	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2MWS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2RT3	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2RTF	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2PT1	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2CT5	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2PWS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2PTF	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2RBS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2PTS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2MT0	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2MT5	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2RT1	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2RT0	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2PT0	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2MT1	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2CT0	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2RTS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP
M55342M04B18A2MTS	Vishay(威世)	RESISTOR, THIN FILM, 0.15 W, 0.1 %, 300 ppm, 18.2 ohm, SURFACE MOUNT, 1505, CHIP

让你的频谱分析仪“少生病”的秘诀是什么: 您是否还在为公司的测试仪器维护保养而发愁？相信很多用户都有这方面的烦恼，对于器件测试而言，精度、可重复性和可靠性至关重要。西安安泰测试维修中心为示波器、频谱分析仪、信号源、网络分析仪、数字万用表等电测仪器提供维修保养服务，根据多年维修经验总结频谱分析仪故障现象主要有：1、电源故障：不能正常开机2、输入端故障：阻抗异常；无信号；信号幅度异常3、测试分析故障：频率、相位测试异常4、显示故障：花屏；黑屏...; agitek西安安泰测试/测量

新手求助。。: 这个电路是让移动电源从休眠模式中重新启动。。而我后端的电路加上之后，休眠模式下的移动电源电压会被拉低到0.8V。。这个电路就不工作了。。跪求怎么解决。。...; Blyss89 综合技术交流

MSP432的驱动函数地址: 最近在看432程序的时候，突然发现一个问题。举个例子吧，调用库函数的时候，如MAP_WDT_A_holdTimer();这条语句是个宏定义，指向的是 ((void (*)(void))ROM_WDTTABLE[0])而这个ROM表的起始地址是0x02000800#define ROM_APITABLE((unsigned long *)0x02000800)这里我的问题是为什么能够把库文件的模块编...; lonerzf 微控制器 MCU

直流，动态特性大家都评测了，我评什么呢: 直流特性，动态特性你们都测过了，我说下我的感受吧，测试版挺小巧，背面发现一个电阻，测量后阻值是1.5k，导通典型电流是5毫安，驱动端直接5伏输入驱动，负载端液晶屏亮了，over...; kangkls 东芝光电继电器TLP3547评测

分享一个TI达芬奇系列的支持网站: [i=s] 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-4-6 17:37 编辑 [/i]这个网站有TI的达芬奇系列的相关资料，包括相关开发板的原理图和Geber文件资料较全很有帮助http://c6000.spectrumdigital.com/6000系列的http://c5000.spectrumdigital.com/5000系列的http://c2000.spectrumdigi...; qwqwqw2088 DSP 与 ARM 处理器

【低功耗】低功耗FPGA应用论文: ...; 常见泽1 FPGA/CPLD

首款智能机Simon比苹果早15年推出 IBM制造

“智能手机”一词直到1995年才出现，但第一部真正的智能手机实际上在1992年就问世了。名为Simon Personal Communicator，由IBM制造，售价约为现在的1435美元，比苹果推出的iPhone手机早了15年。首款智能机Simon比苹果早15年推出 IBM制造　　Simon是第一部结合了通话功能和PDA的手机。Simon于1994年8月16日上市，合约价...[详细]
全球半导体OSD销售增长11%

研究机构IC Insights3月29日发布报告称，光电子器件、传感器、分立器件(合称“OSD”)作为半导体产业的三个细分市场，在2017年全球共计实现753亿美元销售额，同比增长11%，是2010年来销售额增速最高的一年。报告认为，OSD三个细分市场2018年增长会有所放缓，总体销售额增速为8%，其中光电子器件增长8%，传感器增长10%，分立器件增长5%。未来五年，受通信升级、图像识别、智能...[详细]
人工智能和机器人时代将来临，本田如何应对？

6月11日消息，据福布斯杂志报道，尽管日本本田公司被广泛认为是世界上最大的汽车制造商之一，也是最大的摩托车制造商，但它在汽车以外的技术创新领域也正处于前沿。该公司在研发方面的投资使其跻身“20大研发支出公司”名单，其中包括另外5家汽车制造商，但也有其他行业的代表。基于本田公司公开分享的创新成果来看，该公司正利用部分研发预算为迎接第四次工业革命到来做准备。本田通过使用人工智能 (AI)...[详细]
Ixia推出集成式合作伙伴计划以加速全球增长

Ixia近日推出集成式全球合作伙伴计划，帮助合作伙伴在向客户提供业界领先的网络可视性、安全和测试解决方案时能增加收入。该计划的第一阶段被称为ChannelXcelerate(渠道提升)，旨在打造全球性的合格经销商合作伙伴网络，这些伙伴可以推广Ixia的可视性架构产品组合。 ChannelXcelerate旨在提升合作伙伴的能力，确保他们拥有成功销售Ixia可视性解决方案所需的资源，同时强调双...[详细]
华为发布5G全系列解决方案：包含L3级自动驾驶技术

近日，2019全球移动宽带论坛（Global MBB Forum 2019）期间，华为无线网络产品线总裁邓泰华发布了华为最新 5G 全系列解决方案。华为无线总裁邓泰华表示：“ 5G 时代已经到来。以强大的网络实现极致用户体验，以先进的软件算法实现最佳网络性能，以智能自治实现最高效的运维，是我们 5G 网络的建网目标！” 邓泰华发布了最新一款的5G全系列全场景产品解决方案：包括业界最高...[详细]
2021全球动力电池装机量TOP15解析

TOP 15动力电池企业共装机281.58GWh，占整体装机电量的96%。依次为宁德时代、LGES、松下、比亚迪、SK ON、三星SDI、中创新航、国轩高科、远景动力、孚能科技、蜂巢能源、亿纬锂能、欣旺达、瑞浦能源。全球新能源汽车市场狂奔，动力电池装机需求加速跃升。高工产业研究院（GGII）通过发布的《全球动力电池装机量数据库》统计显示，2021年全球新能源汽车销量约637万辆，同比...[详细]
电量计IC MAX1730x实现精确充电状态测量的解决方案

电池是便携式电子设备的唯一电力来源。无论是使用智能手机、健身追踪器、运动相机、室外导航设备、相机还是手持式收发器，都会遇到意想不到的低电量警告。大多数情况下，这类警告信息只会带来不便，但对于安全和应急设备来说，可能会造成严重的后果。通过电量计确定电池充电状态由于电池材料、化学成分和环境温度都会发生变化，因此只通过电量计检测电池电压所得到的结果并不可靠。此外，电池阻抗也会随着充电状态和电池...[详细]
九、ARM 汇编与 C 的混合编程

9.1 ARM 汇编与 C 的混合编程 9.1.1 内嵌汇编 __asm __asm( 指令 ) 例如关闭/打开总中断开关 CPSR __asm //使用 C 中变量名代替寄存器 { MOV var,x ADD y,var,x/y } 内联汇编语言中的寄存器名被编译器视为 C 或 C++语言中的变量，所以内联汇编中出现的寄存器名不一定和同名的物理寄存器相对应。这些寄存器名在使用前必...[详细]
台积电已在谋划1nm制程工艺工厂计划建在龙潭科学园区

据国外媒体报道，正在推进3nm制程工艺以可观良品率量产的台积电，也在推进更先进的2nm及1nm制程工艺，2nm制程工艺预计在2025年下半年量产，将提供多个版本，随后就将是1nm制程工艺。虽然目前距离台积电1nm制程工艺量产还有多年，但外媒称他们已在谋划工厂的建设事宜，以便按计划量产。从外媒的报道来看，台积电的1nm制程工艺工厂，是计划建在由新竹科学园区运营的龙潭科学园区，靠近桃园市。...[详细]
红米Note 2获入网搭载联发科处理器

传闻已久的红米 Note 2 如今终于登陆工信部网站。根据工信部网站提供的信息，一款名为 2015051 的双 4G 新品，以及名为 2015052 的移动定制新品获得入网许可。根据两款手机的 5.5 英寸屏幕尺寸，以及证件照反映出的塑料材质看，应该是红米系列无疑。从证件照反映出的外型上看，红米 Note 2 与第一代产品基本保持一致，镜头外圈换成了圆形，但仍然凸起。电源键与音量...[详细]
5G的核心不仅仅是技术

更大的流量数据、更低的功耗、更高的网络效率以及更佳的用户体验是未来移动网络的核心，为了提早布局技术和服务，国际以及国内对5G的研究比当初的4G还要更早。　　今年初，国家正式启动围绕5G的863重大项目，未来移动通信论坛（FuTURE论坛）牵头举办了一系列国际研讨合作，进一步加大了产学研在5G上的合作研发力度。　　对于5G的定义，中国863计划5G专家组组长、FuTURE论坛副主席兼秘书长...[详细]
对于STM32 GPIO模式不理解造成的问题解释

今天在编写Flash的程序时候，在最后，所有的程序都已经编写完成，经过测试，没有问题。接下来就是整理程序，自己将一些函数封装，可以便于自己以后移植，但是问题就出现在了这儿。我在封装的过程中，突然发现自己如果将SPI模式初始化函数放置在 CS引脚初始化后面，接下来直接读取 Flash芯片ID的时候使用Jlink读取的数据就不能显示正常，显示数据为0xFFFF，但是，如果我将SPI模式初始化函数放...[详细]
农业部开展农业物联网试验工程年度总结

1月10日，农业部在上海开展农业物联网区域试验工程年度总结，交流各地农业物联网区域试验工程阶段性成果和好经验好做法，研究部署下一阶段工作重点。农业部副部长余欣荣强调，当前，农业物联网区域试验工程取得了一些阶段性、突破性成果，各级农业部门要抢抓机遇、顺势而为、再接再厉，充分调动各种社会力量，全力推进农业物联网建设，加快现代农业发展。余欣荣实地考察了上海生物电子标识有限公司、上海设施农业...[详细]
高通:中国手机客户仍处于库存调整期

　　高通上季营收与获利优于市场预期，但本季展望低于预估，并坦言中国手机客户仍处于库存调整期。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　高通上季营收较一年前成长8%至59.9亿美元，每股盈余1.34美元，都高于市场预估。高通说，将观察苹果供货商若不按预期支付权利金的影响。苹果1月控告高通超收芯片权利金，且拒绝支付原先承诺约10亿美元的回馈金。　　高通警告，目前不清楚苹...[详细]
奥利文新能源完成数千万元天使轮融资同创伟业领投

　　苏州奥利文新能源科技有限公司（以下简称“奥利文新能源”）近日宣布完成数千万天使轮融资，由同创伟业领投。　　奥利文新能源在氢能和长时储能液流电池领域的核心隔膜材料研发上取得了显著进展。本轮融资的成功不仅标志着公司已获得资本市场的有力支持，而且为公司进一步的技术创新和市场扩张奠定了坚实的基础。　　面对中国2060年实现碳中和的目标，绿色制氢和长时储能技术的发展已成为国家战...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

M55342M04B18A2PT5

M55342M04B18A2PT5概述

M55342M04B18A2PT5规格参数

推荐资源

与M55342M04B18A2PT5功能相似器件