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GUB-GM8B-01-2431-C-B

产品描述Array/Network Resistor, Bussed, Thin Film, 0.08W, 2430ohm, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4422,
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小493KB,共3页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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GUB-GM8B-01-2431-C-B概述

Array/Network Resistor, Bussed, Thin Film, 0.08W, 2430ohm, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4422,

GUB-GM8B-01-2431-C-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid796148359
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginUSA
ECCN代码EAR99
YTEOL6.25
构造Molded
网络类型Bussed
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度2.286 mm
封装长度11.176 mm
封装形式SMT
封装宽度5.588 mm
额定功率耗散 (P)0.08 W
电阻2430 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
系列GUB
尺寸代码4422
技术THIN FILM
温度系数100 ppm/°C
容差0.25%
影响MOSFET管温度上升的相关因素
三极管有三个工作区:截止区、放大区和饱和区,而MOSFET对应的是关断区、饱和区和线性区。MOSFET线性区也叫三极区或可变电阻区,在这个区域,MOSFET基本上完全导通。漏源间的导通电阻RDS(on)MOSFET在导通时漏源之间的电阻并不为零,当有漏极电流I。流过时就会产生导通损耗Pon。当导通损耗Pon超过管子的PDMAx时MOSFET就会因功耗过大而损坏。在MOSFET的数据表中,通常可以找...
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