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K7R323684C-EI25

产品描述Standard SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
产品类别存储    存储   
文件大小458KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K7R323684C-EI25概述

Standard SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165

K7R323684C-EI25规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1122335864
包装说明BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.3 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.75 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM

 
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