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2N6476-DR6280

产品描述4A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小483KB,共9页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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2N6476-DR6280概述

4A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

2N6476-DR6280规格参数

参数名称属性值
Objectid1407130748
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
基于收集器的最大容量250 pF
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)2
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
VCEsat-Max2.5 V
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