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2B82

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 66.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共1页
制造商International Semiconductor Inc
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2B82概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 66.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15

2B82规格参数

参数名称属性值
Objectid1471260610
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW IMPEDANCE
最大击穿电压90.2 V
最小击穿电压73.8 V
击穿电压标称值82 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压118 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散250 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压66.4 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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