C3F219AD,C3F219AD pdf中文资料,C3F219AD引脚图,C3F219AD电路-Datasheet-电子工程世界

C3F219AD: 产品描述64-bit TTL bipolar RAM, non-inverting 3-State; 产品类别存储存储; 文件大小96KB，共12页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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C3F219AD概述

64-bit TTL bipolar RAM, non-inverting 3-State

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	SOP, SOP16,.4
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	8 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G16
JESD-609代码	e0
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	16
字数	16 words
字数代码	16
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16X4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP16,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	TTL
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

	C3F219AD	74F219A
描述	64-bit TTL bipolar RAM, non-inverting 3-State	64-bit TTL bipolar RAM, non-inverting 3-State

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