PHT2010E2612WN,PHT2010E2612WN pdf中文资料,PHT2010E2612WN引脚图,PHT2010E2612WN电路-Datasheet-电子工程世界

PHT2010E2612WN: 产品描述RESISTOR, THIN FILM, 0.1 W, 0.05 %, 50 ppm, 26100 ohm, SURFACE MOUNT, 2010, CHIP, GREEN; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小111KB，共6页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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PHT2010E2612WN概述

RESISTOR, THIN FILM, 0.1 W, 0.05 %, 50 ppm, 26100 ohm, SURFACE MOUNT, 2010, CHIP, GREEN

CO气体探测器（2015瑞萨电子设计大赛作品）: [i=s] 本帖最后由陈纬于 2015-11-22 17:11 编辑 [/i][media=x,500,375]http://v.youku.com/v_show/id_XMTM5MjU1NjIzMg==.html?from=y1.7-1.2[/media]...; 陈纬瑞萨电子MCU

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为什么要片内RAM大的DSP效率高？: 目前DSP发展的片内存储器RAM越来越大，要设计高效的DSP系统，就应该选择片内RAM较大的DSP。片内RAM同片外存储器相比，有以下优点： 1)片内RAM的速度较快，可以保证DSP无等待运行。2)对于C2000/C3x/C5000系列，部分片内存储器可以在一个指令周期内访问两次，使得指令可以更加高效。3)片内RAM运行稳定，不受外部的干扰影响，也不会干扰外部。4)DSP片内多总线，在访问片内RA...; Jacktang DSP 与 ARM 处理器

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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