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IXBF9N160

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共4页
制造商IXYS
标准  
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IXBF9N160概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3

IXBF9N160规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1526591259
零件包装代码ISOPLUS
包装说明ISOPLUS, I4PAC-3
针数3
制造商包装代码ISOPLUS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压1600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值8 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)70 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)220 ns
标称接通时间 (ton)260 ns
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