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MXLPLAD30KP33AE3/TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小336KB,共4页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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MXLPLAD30KP33AE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

MXLPLAD30KP33AE3/TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明R-PSSO-G1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压40.6 V
最小击穿电压36.7 V
击穿电压标称值38.65 V
外壳连接CATHODE
最大钳位电压53.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压33 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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