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MV2N4856

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共2页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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MV2N4856概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA

MV2N4856规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明TO-18, 3 PIN
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
N-CHANNEL J-FET
Equivalent To MIL-PRF-19500/385
DEVICES
LEVELS
2N4856
2N4857
2N4858
2N4859
2N4860
2N4861
MQ = JAN Equivalent
MX = JANTX Equivalent
MV = JANTXV Equivalent
2N4856
2N4857
2N4858
-40
40
40
50
0.36
1.8
-65 to + 200
2N4859
2N4860
2N4861
-30
30
30
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate Current
Power Dissipation
T
A
= +25°C
(1)
T
C
= +25°C
(2)
Operating Junction & Storage Temperature Range
(1) Derate linearly 2.06 mW/°C for T
A
> +25°C.
(2) Derate linearly 10.3 mW/°C for T
C
> +25°C.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Gate-Source Breakdown Voltage
2N4856, 2N4857, 2N4858
V
DS
= 0, I
G
= -1.0μA dc
2N4859, 2N4860, 2N4861
Gate-Source “Off” State Voltage
V
DS
= 15V dc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
I
D
= 0.5ηA dc
2N4858, 2N4861
Gate Reverse Current
V
DS
= 0, V
GS
= -20V dc
V
DS
= 0, V
GS
= -15V dc
2N4856, 2N4857, 2N4858
2N4859, 2N4860, 2N4861
Symbol
V
(BR)GSS
Min.
-40
-30
-4.0
-2.0
-0.8
-10
-6.0
-4.0
-0.25
-0.25
0.25
50
20
8.0
175
100
80
0.75
0.50
0.50
25
40
60
Max.
Unit
Vdc
P
T
T
j
, T
stg
W
W
°C
Symbol
V
GS
V
DS
V
DG
I
G
Unit
V
V
V
mA
TO-18
(TO-206AA)
V
GS(off)
Vdc
I
GSS
I
D(off)
ηA
ηA
Drain Current Cutoff
V
GS
= -10V dc, V
DS
= 15V dc
Drain Current Zero Gate Voltage
V
GS
= 0, V
DS
= 15V dc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
2N4858, 2N4861
Drain-Source “On” State Voltage
V
GS
= 0, I
D
= 20mA dc
2N4856, 2N4859
V
GS
= 0, I
D
= 10mA dc
2N4857, 2N4860
V
GS
= 0, I
D
= 5.0mA dc
2N4858, 2N4861
Static Drain – Source “On” State Resistance
V
GS
= 0, I
D
= 1.0mA dc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
2N4858, 2N4861
T4-LDS-0002 Rev. 2 (090603)
I
DSS
mA
V
DS(on)
Vdc
r
ds(on)
Ω
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